SKM100GB128D Semikron Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) power module 100A 1200V

SKM100GB128D Semikron Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) power module 100A 1200V

 

 

The SKM100GB128D is a Semikron Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) power module

. It is designed for high-power switching applications and contains a half-bridge circuit structure. 

 

 

 

Key specifications 

• Manufacturer: Semikron (now Semikron Danfoss).
• Module type: Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT).
• Topology: Half-bridge configuration.
• Technology: Soft-Punch-Through (SPT) technology.
• Maximum off-state voltage: 1200V (1.2kV).
• Maximum collector current: 145A.
• Pulsed collector current: 150A.
• Case: SEMITRANS 2.
• Features:
  • Positive temperature coefficient of saturation voltage (VCE(sat)cap V sub cap C cap E open paren s a t close paren end-sub
  • 𝑉𝐶𝐸(𝑠𝑎𝑡)
  • ).
  • High short-circuit capability.
  • Low power density and low switching losses.